標籤: 碳化矽

安森美推出其第一代基於1200V SiC MOSFET的SPM 31智慧功率模組（IPM）系列。在緊湊的封裝尺寸中提供超高能效和功率密度，實現更低的整體系統成本 ...

格棋化合物半導體宣布，公司以「低缺陷密度八吋碳化矽晶圓技術」榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎之肯定

新系統擴展了ASM作為業界標竿的單晶圓碳化矽磊晶系統產品組合，包括6吋PE1O6和8吋PE1O8系統，具備更高的產量、更低的擁有成本，並採用雙腔體設計，兼容6吋 ...

新聞要點 • 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50% • 該平臺採用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了 ...

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