安森美 EliteSiC SPM 31 智慧功率模組 (IPM) 能夠實現
能效和性能都領先行業的更緊湊的變頻電機驅動
台北訊 – 2025年3 月 18日–安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基於1200V碳化矽（SiC）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）的SPM 31智慧功率模組（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7） IGBT技術相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現比市場上其他解決方案更低的整體系統成本。這些IPM改進了散熱性能、降低了功耗，支援快速開關速度，非常適用於三相變頻驅動應用，如AI資料中心、熱泵、商用暖通空調（HVAC）系統、伺服電機、機器人、變頻驅動器（VFD）以及工業泵和風機等應用中的電子換向（EC）風機。
EliteSiC SPM 31 IPM 作為對安森美 IGBT SPM 31 IPM 產品組合（涵蓋 15A 至 35A 的低電流）的補充，提供從 40A 到 70A 的多種額定電流。安森美目前以緊湊的封裝提供廣泛的可擴展、靈活的整合式功率模組解決方案，陣容領先業界。
隨著電氣化和人工智慧應用的增加，尤其是更多AI資料中心的建設提升了能源需求，降低該領域應用的能耗變得愈發重要。在這一向低碳排放世界轉型的過程中，能夠高效轉換電能的功率半導體發揮著關鍵作用。
隨著資料中心的數量和規模不斷成長，預計對 EC 風機的需求也將隨之增加。這些冷卻風機可為資料中心的所有設備維持理想的運行環境，對於準確、無誤的資料傳輸至關重要。 SiC IPM 可確保 EC 風機以更高能效可靠運行。
與壓縮機驅動和泵等許多其他工業應用一樣，EC 風機需要比現有較大的 IGBT 解決方案具有更高的功率密度和能效。透過改用 EliteSiC SPM 31 IPM，客戶將受益於更小的尺寸、更高的性能以及因高度整合而簡化的設計，從而縮短開發時間，降低整體系統成本，並減少溫室氣體排放。例如，與使用當前 IGBT 功率整合模組 (PIM) 的系統解決方案相比，在 70% 負載時的功率損耗為 500W，而採用高效的 EliteSiC SPM 31 IPM 可使每個 EC 風機的年能耗和成本降低 52%。
完全整合的 EliteSiC SPM 31 IPM 包括一個獨立的上橋閘極驅動器、低壓積體電路 (LVIC)、六個 EliteSiC MOSFET 和一個溫度感測器（電壓溫度感測器 (VTS) 或熱敏電阻）。 該模組基於業界領先的 M3 SiC 技術，縮小了裸片尺寸，並最佳化了硬開關應用，採用 SPM 31 封裝可提高短路耐受時間 (SCWT) ，適用於工業用變頻電機驅動。MOSFET 採用三相橋式結構，下橋臂採用獨立源極連接，充分提高了選擇控制演算法的靈活性。
此外，EliteSiC SPM 31 IPM 還包括以下優勢：
- 低損耗、額定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止設備和元件發生災難性故障，如電擊或火災。
- 內置欠壓保護（UVP），防止電壓過低時損壞設備。
- 作為 FS7 IGBT SPM 31 的對等產品，客戶可以在使用相同 PCB 板的同時選擇不同的額定電流。
- 獲得UL認證，符合國家和國際安全標準
- 單接地電源可提供更好的安全性、設備保護和降低雜訊。
- 簡化設計並縮小客戶電路板尺寸，這得益於
o 閘極驅動器控制和保護
o 內置自舉二極體（BSD）和自舉電阻（BSR）
o 為上橋閘極升壓驅動提供內部升壓二極體
o 整合溫度感測器（由 LVIC 和/或熱敏電阻輸出 VTS）
o 內置高速高壓積體電路
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- 閱讀 EliteSiC SPM 31 IPM 和 FS7 IGBT SPM 31 IPM 的應用筆記。
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