太空應用電源必須在抗輻射技術環境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低太空系統的效能並干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.今日宣佈其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）獲得了商業航太和國防太空應用認證。
Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、馬達驅動和控制以及通用開關。這款MOSFET元件能夠承受惡劣的太空環境，增強電源電路的可靠性，並以更高的效能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求。
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用於未來的衛星系統，也可作為現有系統的備用電源。
新元件可以承受高達100 krad和300 krad的總電離劑量（TID）以及高達87 MeV/mg/cm2的線性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）。在驗證測試中，元件的晶圓批次耐輻射合格率達到100%。
Microchip分離式產品業務部副總裁Leon Gross表示：「Microchip進入耐輻射MOSFET市場，體現了我們致力於為客戶提供支援，為航空航太和國防OEM廠商和整合商提供高效能解決方案和持續供應的長期承諾。除了公認的高品質和可靠性外，M6 MRH25N12U3還為開發人員提供超值選擇以及全面的應用支援。」
M6 MRH25N12U3屬於Microchip豐富的航空、國防和航太技術產品線。這些產品包括可程式邏輯閘陣列（FPGA）、微處理器積體電路（IC）、線性IC、功率元件、分離元件和整合SiC和Si電源解決方案的電源模組。再搭配微控制器（MCU）和類比產品，Microchip能夠滿足大功率系統控制、閘極驅動器和功率級的需求，可為全球開發者提供整體系統解決方案。
Microchip在不斷推出新技術的同時，還尋求與航太產品製造商和整合商合作，保障現有和未來系統供應鏈的穩定。
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