在相同的外形尺寸和熱閾值下，QDual3模組能提供高出10%的功率
2024年6月12日–智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)， 最新發佈第 7 代1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術，帶來出色的效能表現，有助於降低系統成本並簡化設計。在用於 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模組的損耗比同類競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模組專為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用於大功率變流器如太陽能發電站中央逆變器、儲能系統 (ESS)、商用農業車輛（CAV）和工業電機驅動器。目前，根據不同的應用需求，有兩種產品可供選擇——NXH800H120L7QDSG 和SNXH800H120L7QDSG。
再生能源採用率不斷提高，對於高峰需求管理和持續供電保障等相關解決方案的需求也隨之日益增長。要想維持電網穩定性和降低成本，就必須要削減電力需求高峰時段的用電量，即採取削峰填谷。利用 QDual3 模組，製造商可以在相同系統尺寸下，設計出發電和蓄電能力更強的太陽能逆變器和儲能系統，提高能源管理效率，增強儲存能力，並更順暢地將太陽能電力整合到電網中。此外，該模組還支持將多餘的電力儲存在儲能系統中，進而能夠有效緩解太陽能發電的間歇性問題，確保供電的可靠性和連續性。對於大型系統而言，這些模組可以透過並聯來提升輸出功率，達到數兆瓦級別。與傳統的600A模組解決方案相比，800A的QDual3模組顯著減少了所需模組的數量，極大地簡化了設計複雜度並降低了系統成本。
QDual3 IGBT 模組採用 800 A 半橋配置，整合了新的第 7 代溝槽場截止 IGBT 和二極管技術，採用安森美的先進封裝技術，從而降低了開關損耗和導通損耗。得益於 FS7 技術，晶片尺寸縮小了 30%，每個模組可以容納更多的晶片，從而提高了功率密度，最大電流容量達到 800 A 或更高。該 800 A QDual3 模組的 IGBT Vce(sat) 低至 1.75V（175℃），Eoff 較低，能量損耗比次優替代方案低 10%。此外，QDual3 模組還滿足汽車應用所要求的嚴格標準。
安森美電源方案事業群工業電源部副總裁Sravan Vanaparthy說：「隨著卡車和巴士等商用車隊的電氣化程度提高，以及市場對再生能源的需求增加，需要能夠更高效地產生、儲存及分配電力的解決方案。將再生能源輸送到電網、儲能系統及下游負載，並盡可能減少電能損失，正變得日益關鍵。QDual3採用遵循行業標準的引腳排列，提供出色的效能，使電力電子設計人員能夠即插即用這些模組，即刻提升其系統性能。」
更多資訊請訪問：
產品頁：NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120L7QDSG
資料手冊：NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120LQDSG
- 本文為作者投稿，僅代表作者個人之觀點與意見，與本平台立場無關。涉及之著作權、言論及法律相關責任，均由作者自行承擔。
