楊念釗物聯網科技介紹

楊念釗物聯網科技應用，常憶科技(Chingistek)在內嵌快閃記憶體的儲存單元設計上，採用有專利的雙電晶體PMOS 和band-to-band-tunnel(BTBT)的資料寫入機制，可確保最佳的擦寫與讀取性能、智財面積的最小化、以及最短的測試時間，目前已泛應用於消費性電子產品、電腦及其周邊設備、無線通訊、網路裝置以及工業控制等。

嵌入式快閃記憶體在物聯網的應用

常憶科技資深顧問楊念釗指出，在物聯網方面，系統廠商會推薦常憶的嵌入式解決方案，背後具備非常大的戰略意義。因為在物聯網時代，移動互聯是一個關鍵因素，在移動互聯資料的儲存非常重要；而快閃記憶體技術適時的出現，能夠讓大家在輕薄短小的應用，儲存大量的資料，包括各位的手機，像iPhone、iPad能夠很快的把Hard Disk給取代掉，這是快閃記憶體無法抹滅的功能。他指出常憶科技專注於嵌入式記憶體技術解決方案，接下來會介紹高容量嵌入式產品與低容量嵌入式產品，以及pFusion的概括性介紹。

首先他列舉在物聯網各種應用領域上，所需要的嵌入式快閃記憶體容量大小，像是農業、食物保鮮、零售、防偽，運籌、供應鍊管理可追蹤到上游生產的應用，大多使用RFID，佔用記憶體儲存量約64~512 byte；在銀行金融轉帳安全的應用上則使用Smartcard，容量約 32KByte~1MByte；政府機關門禁、醫療照顧與社會福利應用上，也到Smartcard，儲存容量需求則從8KB~256KB。智慧家庭與家電則用到MCU微控制器，儲存容量從32KB~1MB；智能電錶也使用MCU，儲存容量64KB~512KB之間。

以PMOS低功耗半導體製程的e2Flash與e2Logic技術

楊念釗指出目前晶圓廠代工Flash製程大多是傳統NMOS半導體製程技術，再細分為標準邏輯製程(Standard)以及雙聚合物製程(Double Poly)，常憶以pFusion提供2-T PMOS半導體製程來說，再以此區分出採標準邏輯製程的e2Logic以及採雙聚合物製程的e2Flash，前者與主控邏輯製程相容，無須附加多餘光罩製程，針對低密度應用4KB以下的彈性程式與資料儲存空間，可達到10年儲存時間與10萬次抹寫；後者e2Flash具備超小紀錄細胞元特性，提供多達8KB以上較大的儲存空間、較快讀寫時間、較長讀寫壽命，可達到20年儲存時間與20萬次抹寫耐用度。