筑波科技/Teradyne寛能帶功率半導體測試與3DIC應用研討會
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標籤: 氮化鎵
搭台版安規晶片，倍思黑科技 GaN 氮化鎵 2C1A 三口充電頭即將上市
首款台版安規黑科技GaN氮化鎵65W即將在台上市，利用半導體第三代元素氮化鎵製成的3口2C1A快充頭，單口根據NCC實驗室測試可達65W，專為台灣110V設計的 ...
